本研究用NaOH-NaClO3碱性腐蚀液制备冶金多晶硅表面织构，研究腐蚀液的配比、腐蚀温度和时间等因素对表面织构的影响。经过大量的对比实验，得到用NaOH-NaClO3体系腐蚀制备的多晶硅表面织构的最佳工艺条件:温度80℃，溶液配比NaClO3∶ NaOH=7∶1(wt％)，腐蚀40秒。腐蚀得到的表面织构呈类金字塔结构，织构分布均匀致密，可起到良好的减反射作用。冶金多晶硅表面的反射率测试给出:在入射光波长为650nm左右，用NaOH-NaClO3碱性腐蚀液制备的冶金多晶硅表面反射率为20.7％，比用HF-HNO3酸性体系腐蚀的冶金多晶硅表面反射率低1.8％。表明用廉价的碱性腐蚀液同样可制出效果良好的表面织构。将本研究成果用于生产少量冶金多晶硅太阳电池（156×156 mm2），得到良好的表面减反射效果，使短路电流可达到8.44安培，比用常规HF-HNO3酸性腐蚀制作的同批电池高出3.2％。量子效率测试结果显示:在300-650nm波长范围内，用碱性腐蚀液制备织构的冶金多晶硅电池的量子效率明显高于酸性腐蚀的电池，明显改善了电池发射区的光学性能，增加了电池的光吸收和利用。用NaOH-NaClO3碱性腐蚀液制作多晶硅表面织构，可降低多晶硅电池的生产成本，腐蚀过程不需要制冷，有效降低能源消耗减少污染，所以本研究成果有很好的应用价值。