硅基的高效的发光结构的研究在近十年以来得到了快速的发展。生长和优化镶嵌在氧化硅中的纳米硅已经成为研究的热点和前沿。由于量子限域效应，纳米硅的发光在红外到红光波段，但是两种材料的界面之间存在相当数量的悬挂键，影响纳米硅颗粒的发光性能，因此采用相应的手段来减少这种缺陷，进一步改善其发光性能是十分必要的。碳化硅作为第三代的半导体发光材料，利用其特有的禁带宽度(2.3-3.3ev)，可以制作蓝光、绿光和紫外光的发光器件。因此，我们期望能够采用在纳米硅中注入碳的方法实现高效的覆盖可见光范围的发光。 本文通过热蒸发方法在单晶硅衬底上沉积了SiO/SiO<,2>超晶格样品，在氮气保护下对样品进行高温退火，得到nc-SiO/SiO<,2>超晶格结构。随后将该结构样品分别注入1×10<14>/cm<2>、1×10<15>/cm<2>、1×10<16>/cm<2>、5×10<16>/cm<2>、1×10<17>/cm<2>、2×10<17>/cm<2>、3×10<17>/cm<2>七种剂量的C<+>离子，再使用不同的温度对注入样品进行二次退火。通过对样品的光致发光(PL)光谱和红外吸收(FTIR)光谱的分析，研究了注入剂量和二次退火温度对硅纳米晶的发光性能的影响，并对低注入剂量和高注入剂量情况下样品的发光机理进行了分析。