Sol-Gel法旋转涂覆制备ZnO薄膜及其光电性质的研究

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【摘要】

：

ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族直接宽禁带(3.37eV)半导体材料,不仅与GaN的结构和电学性质相似,而且电子激发结合能大(60meV),光致发光效率高,其制备技术简单,原料丰富,有望取代GaN而成为新一代的短波光电材料。由于ZnO具有较高的化学稳定性和独特的光学性质,通过适当的掺杂可明显提高薄膜的光电性能,使其在太阳能电池、传感器、光催化等领域具有广阔的应用前景。本文通过溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在玻

【作者】

：

金玲

【机构】

：

南京理工大学

【发表日期】

：

2012年12期

【关键词】

：

ZnO薄膜 Al掺杂电阻率 Ag掺杂光催化

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