【摘 要】
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在论文中,进行了三个相关的创新性工作：建模、优化和设计.首先,在对铁电电容模型发展进行调研的基础上,提出了一个新的铁电电容模型--非线性双电容模型.在该文中,电路的优化和
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在论文中,进行了三个相关的创新性工作：建模、优化和设计.首先,在对铁电电容模型发展进行调研的基础上,提出了一个新的铁电电容模型--非线性双电容模型.在该文中,电路的优化和仿真都是基于这个模型进行.其次,针对1T/1C FeRAM设计中的困难,即它的读出窗口只有2T/2C FeRAM的一半,该文提出了一个优化方法,包括数学描述、定性分析和定量计算.利用非线性双电容模型在HSPICE进行仿真,得到位线寄生电容与1T/1C单元铁电电容的比例对读出窗口的最优值：C<,BL（optimum）>/C<,FE>=2.4.第三,该文根据非挥发逻辑的概念及共利用铁电电容实现的方法,以CMOS触发器为实例,对非挥发CMOS D触发器单元及其外围电路进行了设计,并利用非线性双电容模型在HSPICE中仿真,对非挥发单元的功能进行了验证.在论文的最后提出了非挥发FPGA的概念,为铁电非挥发逻辑在数字系统中的应用提供了原型.
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