随着人类迈入网络化和数字化时代,信息技术已成为本世纪的关键技术。人们对于大容量、高速率的存储手段的需求越来越迫切。近场光存储作为超高密度信息存储技术的新热点,具有巨大的发展潜力及应用前景。 本文主要探讨的是一种实现超高密度近场光存储的方法。文中将现阶段主要的超高密度存储技术原理及发展情况作了分析提出了利用单片集成(PIN-VCSEL-Tip)的SNOM读写尖集成安装在微型弹力臂上组成系统,最终利用多片集成读写尖实现快速读写。并在现有的实验条件下,初步探索了利用VCSEL以及光纤尖实现对Ge-Te-Sb膜的读写。给出了VCSEL激光器的光强测试,与光纤耦合测试以及对膜的写入测试的实验结果以及分析。并且指出了实现此种探针型近场光存储的难点和对以后工作的展望。 由于探针形貌在近场成像以及存储中都具有重要的意义,本文依据前人工作,提出了一种依据探针与样品的作用关系,从图像中提取探针形貌的方法,并作了数值模拟工作,数值模拟的结果与探针尺度基本吻合。