随着高压直流输电的诞生与发展,电力电子技术尤其是各种换流技术也随之进步,人们越来越关注变换器的功率密度与效率等方面的特性。但是目前而言,电力系统的能耗有很大一部分是损失在电力换流之后,为了应对能源紧张的现状,降低能耗已经成为发展所迫切需求的,于是半导体开关元件的开发与选用显得愈发的关键。新型碳化硅(Silicon Carbide,SiC)金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)相比于硅基功率开关器件(Silicon,Si),具有开关及导通损耗小、高频开关和耐高温等特性,将在高性能功率变换器中得到快速发展。本文针对SiC MOSFET进行了着重的研究,分析了SiC器件的参数以及物理特性和电特性,并深入的对基于SiC-MOSFET的三相逆变器开展研究,首先根据正弦脉宽调制(Sinusoidal Pulse Width Modulation,SPWM)下开关频率及电流波纹的大小来优化设计高频LC滤波器,同时通过效率分析和热等效电路来选取散热器。其次对比分析正弦脉宽调制、空间矢量脉宽调制(Space vector pulse width modulation,SVPWM)、不连续空间矢量脉宽调制(Dscontinuous space vector pulse width modulation,DSVPWM)三种调制方式下和不同开关频率下的SiC-MOSFET逆变器波形仿真与效率特性。最后,通过搭建并测试125kVA三相SiC-MOSFET逆变器实验装置来验证不同负载条件下设计合理性和SiC-MOSFET逆变器优越性。