SnSe及Cu<,2>O半导体薄膜材料的电化学制备及其组成形貌分析

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本硕士学位论文主要采用电化学法分别在多晶金片电极和单晶硅电极表面构建了周期表Ⅳ—ⅥA型SnSe半导体薄膜;并在导电玻璃电极表面制备了Cu_2O半导体化合物薄膜。采用多种电化学方法及X-射线衍射(XRD)、X-射线电子衍射能谱(XPS)等对薄膜沉积机理和化合物形态进行了研究和表征;同时用扫描电子显微镜/X-射线衍射能谱(SEM/EDX),原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了表征分析。主要内容有:1.在常温常压下用电化学原子层外延法(ECALE)在多晶金片状电极表面构建了
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