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【摘 要】
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碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表材料，具有禁带宽度大、热导率高和临界击穿电场高等特点，所制备的光电器件在高温、强辐射等极端、恶劣条件下有巨大的应用潜力。SiC同样也能
【机 构】
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北京工业大学
【出 处】
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北京工业大学
【发表日期】
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2017年期
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