【摘 要】
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该文在作者自行设计国内唯一的集团簇产生,分析和材料制备于一体的LECBD装置上,对于由团簇束流淀积技术制备的重要的VI族元素半导体Te,Se进行了系统探讨,对于IV元素Pb,Sn LE
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该文在作者自行设计国内唯一的集团簇产生,分析和材料制备于一体的LECBD装置上,对于由团簇束流淀积技术制备的重要的VI族元素半导体Te,Se进行了系统探讨,对于IV元素Pb,Sn LECBD过程作了广泛考察.把光热偏转技术引入到团簇薄膜研究,并对于上述纳米薄膜作初步的研究.主要结果有:1.首次利用LECBD技术制备了Te团簇薄膜,在He气氛中,在液氮温度下,发现随着淀积量增大,Te团簇由小的枝叉状聚集体向二维渗流网络结构,再向三维网络结构的转变;2.对Pb,Sn的LECBD在不同淀积条件作了考察,发现在He气氛中,较低淀积速率有利于制备尺寸较小,均匀的团簇薄膜.并成功地制备了尺寸很小,分布均匀致密的Pb团簇薄膜;3.首次利用光热偏转技术研究IV族元素半导体Se,Te簿膜和团簇薄膜,考察它们与激光相互作用特性.
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