【摘 要】
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低气压、高密度等离子体刻蚀的模拟对于高密度等离子体刻蚀的工艺研究具有重要意义.该论文深入研究了低气压、同密度等离子体的工作机理及其刻蚀工艺的原理,合理的舍取了影响
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低气压、高密度等离子体刻蚀的模拟对于高密度等离子体刻蚀的工艺研究具有重要意义.该论文深入研究了低气压、同密度等离子体的工作机理及其刻蚀工艺的原理,合理的舍取了影响等离子体特性和刻蚀特性的参数,提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型,并利用"线"算法进行了数值模拟.分析了不同的中性流与离子流通量之比Г<,n0>/Г<,i0>和不同的鞘层电压与离子温度之比eV<,S>/kT<,i>对刻蚀轮廓的影响.模型中引入了掩膜对入射粒子流的遮蔽效应和中性粒子在不同刻蚀表面的粘附系数,使得模拟的结果的准确性大大提高.论文最终给出了要获得低气压、高密度等离子体的各向异性刻蚀的eV<,S>/kT<,i>和Г<,n0>/Г<,i0>的取值范围.
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