【摘 要】
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该课题采用等离子体浸没离子注入与沉积(PIIID)技术在轴承钢GCr15表面形成TiN薄膜,PIIID过程通过RF射频辉光放电和脉冲阴极弧金属等离子体源实现.采用声信号法、摩擦力曲线法
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该课题采用等离子体浸没离子注入与沉积(PIIID)技术在轴承钢GCr15表面形成TiN薄膜,PIIID过程通过RF射频辉光放电和脉冲阴极弧金属等离子体源实现.采用声信号法、摩擦力曲线法和显微镜观察法,综合评定影响PIIID技术制备膜层膜基结合力的因素与规律,影响因素包括:表面预处理条件、注入电压、注入量与沉积量的比例以及过渡层对膜层膜基结合力的影响.对所制备的TiN膜层的膜基结合力进行测试及综合分析表明:经过氩离子溅射清洗的试样,其膜层的膜基结合力要比没有经过氩离子溅射清洗的试样好,适当延长氩离子溅射清洗时间可以提高薄膜膜层的膜基结合力;注入电压的增加有利于膜基结合力提高,其中注入电压从20kV提高到.30kV时,临界载荷从2.74N提高到14.6N;按照1:10、1:20、1:30和1:40的顺序改变注入量与沉积量的比例,膜层膜基结合力的变化呈先增加后减小的趋势;氮离子注入形成的氮过渡层可以改善膜层的膜基结合力,但注入电压不易过高;而且经过PIIID处理的样品,显微硬度都有显著的提高.
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