光电探测器是一种将光信号转换为电信号的光电子器件,在现代科学和现实工业中有着非常重要的应用。尤其是在军事和民用领域中（夜视、目标检测、视频和生物成像）有着广阔应用的近红外光电探测器,在近几十年中受到了足够的重视。经过科学家们几十年的不断探索与发展,为了弥补商业Si基近红外光电探测器截止波长短,基于In Ga As和相关异质结构等材料制成的近红外光电探测器制造条件严格与制造工艺复杂的短板,最近有人提出了一种基于2D层状材料与窄带隙半导体的异质结近红外光电探测器,其具有制造简单,成本低且高效的突出特点。在本工作中,我们研究了一种基于Pd Se₂/Ga As异质结的近红外光电探测器,并测得了优异的电学性能。本文中,我们通过简单的一步直接硒化法制备了二维多层Pd Se₂薄膜,采用Na OH刻蚀液,利用牺牲层刻蚀法将多层Pd Se₂薄膜完整的转移到旋涂有PDMS绝缘层的Ga As上,再通过Ag浆引出顶电极,最终得到了Pd Se₂/Ga As异质结近红外光电探测器。制成的Pd Se₂/Ga As异质结器件在808 nm近红外光照射下表现出明显的光伏特性,表明我们的器件可以在没有外部电源的情况下工作。进一步的器件性能分析表明,预制的异质结器件对808 nm的近红外光异常敏感,其光响应具有良好的稳定性和可重复性,出色的稳定性与Pd Se₂材料在空气中的良好稳定性密不可分,并且在808 nm光照下,表现出1.16×10⁵的大开关比,171.34 m A W^-1的较高响应度和2.36×10¹¹Jones的出色比探测率,最后研究发现该器件还具有图像传感的能力。以上研究结果表明Pd Se₂/Ga As异质结在未来的光电系统中具有广阔的应用前景。