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【摘 要】
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GaN作为一种典型的第三代宽禁带直接带隙半导体材料，具有优异的物理化学性能较大的电子迁移率、良好的导电导热性、高的击穿场强、较好的抗辐射性和耐高温及抗化学腐蚀性等诸
【机 构】
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北京工业大学
【出 处】
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北京工业大学
【发表日期】
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2015年期
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