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聚酰亚胺(PI)/石墨烯不仅有着远远优越于ITO的透光和导电性能,而且可弯曲。但恰是由于石墨烯只有单层或几层碳原子构成,通常制备的石墨烯薄膜易脱落、方阻高。本实验制备PI/石墨烯基复合透明导电薄膜,希望保证复合薄膜良好光电性能,同时保护石墨烯膜层。实验采用射频、直流和脉冲直流电源溅射Mo粉末靶,改变靶基距(靶到基体的距离),测量基体漂移电压及饱和电流,探讨溅射驱动方式及靶基距对等离子体行为的影响,并根据实验结果后续薄膜的制备选取130mm的靶基距,ZnO薄膜的制备分别采用射频及脉冲直流电源(占空比选75%、频率为100KHZ)。Ag薄膜的制备采用脉冲电源(占空比选80%、频率为100KHZ)Ag靶采用直流电源。并通过台阶仪、XRD-衍射仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜、霍尔效应仪及紫外-可见分光光度计对制备的薄膜样品进行表征。使用射频和脉冲直流电源制备的PI/石墨烯/Zn O复合薄膜,在石墨烯上ZnO为柱状晶生长,晶粒择优取向为(002)。并随功率的增加,薄膜厚度增加,表面颗粒趋于平整。复合薄膜在可见光区透光率均达到72%以上,方阻均大于石墨烯方阻,但由于膜厚的增加电阻率显著升高。因此,需要通过其他手段提高薄膜的电学性能。金属夹层可以提高TCO复合薄膜的电学性能。采用脉冲磁控溅射制备PI/石墨烯/Ag复合薄膜,并讨论不同Ag层薄膜厚度PI/石墨烯/Ag复合薄膜的光电性能,光电性能最佳的样品方阻为5.36Ω/sq可见光区平均透光率64%。为了进一步提高透光率,并保护表层的Ag薄膜,在最优PI/石墨烯/Ag上沉积120nm厚的ZnO薄膜,制备PI/石墨烯/Ag/ZnO复合薄膜,制备样品方阻为989Ω/sq,可见光区平均透光率为62%。实验成功使用墨水法和刮刀涂布法制备了CuInAlSe2太阳电池吸收薄膜,为CuInAlSe2太阳电池吸收薄膜提供一种新的制备方法。并通过自定的热处理工艺极大的降低了薄膜中有机的残留。