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该文针对超高亮度发光二极管的设计和外延制造技术进行了系统地研究,特别是对AlgaInP外延片LP-MOCVD生长过程中的几个关键问题,如In部分的控制、源气流量的控制、UHB-LED结构设计、及器件性能的改善等几个方面的相关课题,进行了深入的理论分析和实验研究,成功地配合了超高亮度发光二极管的研制。