光纤通信是一种弱功率激励行为，为了使光功率控制在需要的范围内，通常采用光衰减器控制和平衡光功率。本论文的目的是制备光衰减器的核心元件—光衰减片。利用金属镍容易吸收通信波长的特性来消耗光能量使其衰减。本课题采用HDJ-800磁控溅射仪，选择不同的溅射功率（300W,400W,600W,1000W,2000W）、溅射气压（0.2Pa,0.4Pa,0.6Pa,0.8Pa,1.0Pa）、溅射时间（5min,10min,15min,20min）工艺参数制备Ni/SiO₂玻璃光衰减片。借助SEM、XRD、原子力、体视显微镜、722分光光度计等分析手段对镀层组织结构、平整性及光衰减性能进行表征，系统地研究了工艺参数对Ni/SiO₂光衰减片的表面形貌、晶体结构、粗糙度以及对光衰减率的影响。实验结果表明：采用磁控溅射法制备的Ni膜致密、连续，光滑、纳米级（约30nm）晶粒分布均匀，Ni膜与SiO₂玻璃基片不是简单的物理吸附，而是形成了Ni/SiO₂复合薄膜，且与SiO₂基体的附着力好。经光衰减性能分析可知，不同工艺参数下，光衰减片的光衰减率不同，主要与Ni膜的平整度以及金属膜所含的杂质和内部缺陷有关。不同溅射气压下，溅射气压为0.4Pa时，光衰减率最大，为0.49；不同溅射功率下，溅射功率为600W时，光衰减率最大，为0.49；光衰减率随着溅射时间的增加而增加，溅射时间为20min时，光衰减率达到最大值为0.56。结论：当溅射功率为400W，溅射气压为0.4Pa，溅射时间20min时，制得的Ni/SiO₂光衰减片膜层平整性和组织结构较佳，且此工艺条件下，光衰减片的光衰减率也达到最大值为0.56。最后，采用SRIM软件对磁控溅射过程模拟，模拟了不同能量的氩离子入射镍靶过程中的能量损失和射程、不同能量的氩离子撞击靶材后的位置分布状态。