SnO₂是金红石结构的宽禁带半导体材料,其禁带宽度为3.6e V,激子束缚能为120me V。SnO₂的物理化学性能都十分稳定,不会与稀酸稀碱反应,有良好的抗腐蚀性和热稳定性,与玻璃、陶瓷等材料的结合非常紧密,并且在可见光区（400nm-800nm）的透过率超过80%,是一种优良的透明导电材料。本文利用脉冲激光沉积镀膜技术在石英（15mm×15mm）衬底上制备了多层复合结构的SnO₂基透明导电薄膜,并主要研究了膜层厚度、制备温度、退火温度等因素对其光电性能的影响。本文的工作主要包括以下内容:第一章主要介绍了当前透明导电薄膜的研究现状和研究背景,简单的介绍了一下其分类和当前在一些领域的应用,并着重分析了TCO/Metal/TCO薄膜的研究现状和面临的问题,引出本文的研究意义。第二章首先介绍了一下目前透明导电薄膜常用的制备方法,其中也对本文所用的脉冲激光沉积镀膜方法做了一个说明,最后我们又简单的介绍了一下本文中所用的测试手段。第三章主要研究了膜层厚度、制备温度、退火温度等因素对三层结构的SnO₂/Au/SnO₂复合薄膜性能的影响。在研究膜层厚度对薄膜性能的影响时,发现薄膜面电阻的大小主要取决于Au层的厚度。当Au层和SnO₂层总厚度各为8nm和80nm时,薄膜的品质因数最高为3.9×10-3?-1,此时薄膜在可见光区的平均透过率为77.32%,面电阻为19.6Ω/sq。接着我们又研究了温度对薄膜性能的影响,室温下制备的薄膜光电性能最佳;而在适当的温度下退火可以提高其性能,当退火温度为200℃时,薄膜的品质指数为6.77×10-3?-1,此时薄膜的透过率高达80.11%,面电阻仅为16.1?/sq。第四章主要对Zn O/Au/SnO₂复合薄膜进行了研究,主要研究了TCO层厚度（Zn O和SnO₂层的总厚度）对其性能的影响。与SnO₂/Au/SnO₂薄膜相比,Zn O/Au/SnO₂复合薄膜也有着优良的光电性能。当TCO层厚度为100nm时,其透过率高达78.336%,此时的品质因数为3.37×10-3?-1。第五章该章节中以Ag为中间层,制备了SnO₂/Ag/SnO₂复合薄膜,并系统的研究了中间层Ag的厚度对其性能的影响。通过研究发现,厚度为SnO₂（40nm）/Ag（10nm）/SnO₂（40nm）的薄膜,具有最佳的品质因数为4.76×10-3?-1。第六章在该章节主要对目前工作中已经取得的成果进行了总结,通过总结,也认识到了工作中的不足之处,明确了以后的研究方向。