【摘 要】
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该论文首先介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物的基本物理性质,引入异质外延概念,以及常用的异质外延技术,随后详细描述了分子束外延设备原理和构造.在此基础上介绍了作者在攻读博士学位期
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该论文首先介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物的基本物理性质,引入异质外延概念,以及常用的异质外延技术,随后详细描述了分子束外延设备原理和构造.在此基础上介绍了作者在攻读博士学位期间所主要从事的两个方面研究工作:在GaAs基高In组分InAlAs/InGaAs异质外延部分,作者利用低温和In组分渐变技术来生长改性高电子迁移率晶体管材料(MM-HEMT).通过对渐变方式,生长温度,As压,渐变层厚度等的系统研究和优化,沟道In组分为0.33的MM-HEMT的室温和77K的迁移率分别8036和27200cm<2>/V.s,其二维电子气的浓度分别为3.05×10<12>和2.97×10<12>cm<-2>,达到了国际先进水平.在AlAs氧化的物性研究部分,作者针对目前AlAs氧化技术中存在的一系列问题展开详细的讨论和提出相应的解决方法.
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