ZnO及其缺陷电子结构的FP-LMTO研究

来源 :中国科学技术大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hanhaicang

【摘要】

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ZnO是一种宽禁带半导体(3.37eV),它的激子束缚能是60meV,是一种有极强的商业应用前景的紫光、紫外激光材料.目前的研究集中在材料制备上,而对ZnO的理论研究很少,特别是对材料

【作者】

：

孙玉明

【机构】

：

中国科学技术大学

【出处】

：

中国科学技术大学

【发表日期】

：

2000年期

【关键词】

：

点缺陷电子结构 ZnO

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ZnO是一种宽禁带半导体(3.37eV),它的激子束缚能是60meV,是一种有极强的商业应用前景的紫光、紫外激光材料.目前的研究集中在材料制备上,而对ZnO的理论研究很少,特别是对材料生长和器件工艺具有重要意义的缺陷研究仍是一个空白,为此该文利用全势LMTO方法(FP-LMTO)对ZnO及其几种点缺陷的电子结构进行了研究,以期能对它的导电性和光谱特性等给出合理的理论解释.

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