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铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池具有抗辐射能力强、光电转化效率高、工作性能稳定等特点,是最有发展前景的太阳能电池之一。目前高转换效率的CIGS薄膜太阳电池都具有梯度带隙结构的吸收层,通过调节Ga/(Ga+In)元素比在吸收层纵向分布来实现禁带宽度梯度结构。本论文创新性的采用脉冲激光溅射CIGS四元化合物靶材,后经进一步退火处理制备CIGS薄膜工艺,制备出不同化学计量比的CIGS薄膜。对不同组分比的薄膜进行了结构、光学带隙、形貌及成分的测试,研究表明:利用PLD设备可制备出结晶度高、表面平整