氧化物TFT由于具有迁移率高、均匀性较好、像素电路简单、阈值电压漂移小、光稳定性较好等优势，是驱动OLED最有力的竞争者之一。而非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)凭借其简单的制备工艺，以及优异的光电性能而成为TFT制备的理想材料。　　本文以研制面向AMOLED应用的氧化物TFT技术作为目标。在搭建研究平台的工作基础上，采用脉冲直流方式溅镀制作IGZO有源层及绝缘层，针对薄膜制备工艺、退火处理、保护层制作、器件结构优化等方面开展工作。　　本论文主要开展的研究工作概述如下：　　1.研究了缺氧(Ar)、富氧(O2)、氧替代(N2)三种条件下制作IGZO的TFT特性。通过AES、XRD、AFM等分析手段，考察了不同气体制备的IGZO膜以及相应的靶材的成分及结构情况，发现Ar-IGZO膜的方阻较低与In含量高有关，O2-IGZO膜的方阻较大与Ga含量高有关，而N2-IGZO膜的稳定性较好则与含N原子有关，说明不同的溅射气体对IGZO膜的成分比例和电学结构具有重要的影响。实验结果表明，Ar-IGZO TFT在退火后具有良好的特性，S值为1V/dec，迁移率可达8.3 cm2/Vs，开关比≥105。　　2.采用脉冲直流溅射的方式沉积Ar-IGZO膜层作为TFT的有源层，并在背沟道上采用不同方法制作保护层，探讨不同保护层对器件电学特性的影响。经考察发现：采用光刻胶作为保护层，可避免真空环境和Plasma轰击的影响，该保护层制作后短期内可保护、甚至可改善器件的电学特性。结果表明：使用SU-8光刻胶作为保护层的器件，其电学特性衰退较小，在空气中放置一段时间后表现最稳定。　　3.采用脉冲直流溅射的方式制作自对准顶栅结构a-IGZO TFT。器件中，有源层采用Ar-IGZO和O2-IGZO的复合结构，绝缘层采用SiO2和SiNx的复合结构，并通过考察不同的退火处理操作条件，对膜层及器件电学特性的影响。实验结果表明，在有源层图形化后和绝缘层沉积后分别进行退火，可有效地改善TFT器件的性能，得到较好的电学特性：Ion/Ioff>108，S为0.4 V/dec，Vth为-2.5 V，μ为7.6 cm2/Vs。　　4.探索性将底栅结构Oxide TFT应用在AMOLED面板当中。采用底栅结构的TFT技术路线，开发了分辨率为128×128×3的Oxide TFT阵列，并结合有机/金属蒸镀及封装技术，初步实现AMOLED驱动控制效果。