MOCVD GaInP材料制备中新源TBP的物理化学及应用

来源 :中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:savages8850
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该文研究了MOCVD GaInP材料制备中新源TBP的物理化学及应用,生长出了性能与用PH<,3>时接近的Ga<,0.51>In<,0.49>P外延层.
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