随着纳米技术的迅速发展，生产超小电子器件成为可能，因此量子干涉效应在电子器件中起着非常重要的作用。为了研究电子波的相位相干性，AB干涉仪成功地把AB效应应用到量子器件中，并用之观察到了与电子相位相干性有关Fano效应。电声相互作用对量子相干性有着非常大的影响，很容易使得相干性丢失。　　本文运用非平衡格林函数方法研究AB干涉仪的量子输运问题，同时考虑量子点中的电子库仑作用和电子-声子相互作用，研究它们的竞争对量子输运特性及电子相干性的影响。本文首先简单地回顾一些介观物理中重要的概念如量子点、AB效应及应用以及Fano效应。接下来介绍了电声相互作用在理论和实验上相关的研究背景、发展动态和处理方法，也对本文所采用的理论工具非平衡格林函数的概念、常用到的定理、方程、性质进行了介绍。最后，在Aharonov-Bohm环上包含一个量子点的系统中，我们研究电声相互作用和电子间的库仑相互作用对Fano共振、Breit-Wigner共振隧穿输运特性的影响，采用非平衡格林函数的方法获得计算电流的表达式，发现在Fano共振中当电声相互作用大于库仑作用，且有效库仑作用为负数时，由于干涉效应会出现负微分电导特性;而在Breit-Wigner共振中，正的有效库仑作用(U)使的主峰宽度变窄，负的有效库仑作用(U)使主峰变宽，当电声相互作用大于库仑作用时，无论有效库仑作用是正值还是负值，不再出现负的微分电导。