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氧化锌(ZnO)是一种重要的直接宽带隙化合物半导体材料，具有优良的压电、热电、光电特性，其禁带宽度为3.37eV，室温下激子束缚能高达60meV，远高于其它半导体材料。现在诸多研究者已成功生长出了如纳米线、纳米管、纳米带、纳米环等新奇的ZnO纳米结构。这些纳米结构显现出许多不同于体材的优异特性，在制备纳米光电子器件和纳米电子器件方面将发挥重要作用。
钇铝石榴石(YAG)单晶属等轴晶系，具有光学均匀性，无双折射效应，是广泛使用的激光和发光基础材料。铈掺杂钇铝石榴石是制备白光LED的首选荧光粉，白光LED将成为替代白炽灯、荧光灯和高强度气体放电灯之后的第四代光源，具有广阔的应用前景。但白光LED的性能距离照明用标准还有一定差距，因此作为LED上游基础材料的一个重要组成部分，YAG:Ce荧光粉的性能仍需要改善提高。
本论文的工作有如下几个部分：
1、用水热法制备了硫掺杂比例不同的纳米ZnO粉体，通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等手段对样品进行了表征；
2、对纳米ZnO粉体的变温光致发光(PL)现象进行了详细的分析；
3、对纳米ZnO粉体的紫外吸收光谱进行了研究；
4、用水热法制备了铈掺杂钇铝石榴石的纳米粉体，并对其光致发光谱进行了分析。