基于酞菁的有机近红外电致发光器件的初步研究

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本论文的主要工作是利用已有的材料和自己设计合成的材料,制作了有机近红外电致发光器件。我们利用CuPc为发光材料,制备了不掺杂的器件,结构为ITO/NPB/CuPc/BCP/Alq3/Al和ITO/NPB/CuPc/Alq3……/CuPc/Alq3/Al,后者为交替型器件。也制备了掺杂的器件,结构为ITO/NPB/CBP:CuPc/BCP/Alq3/Al,前两种器件在1.1μm附近的发光较弱,最后一种器件,即把CuPc掺到主体材料CBP里为发光层,我们掺杂了四种浓度:0wt%、6wt%、12wt%、20wt%,当浓度为12wt%时,效果最好,在1.1μm附近有个强而窄的发射峰,改变CuPc的浓度,发射峰的强度也会改变。我们合成了带取代基的酞菁,(4-thymol)CuPc和(4-tert)H2Pc,以(4-thymol)CuPc为发光层的器件结构为ITO/NPB/(4-thymol)CuPc/Alq3/Al,在1.1μm附近有个发射峰,把(4-tert)H2Pc掺到主体材料CBP里为发光层的器件结构为ITO/NPB/CBP:(4-tert)H2Pc/BCP/Alq3/Al,掺杂了20wt%、40wt%、80wt%和100wt%四种浓度,发射峰都位于910nm附近,随着掺杂浓度的增加,发光逐渐增强。另外我们还合成了三核酞菁锌,但材料经过提纯后还含有杂质2,3-四-(2-异丙基-5-甲基)酞菁锌,采用旋涂成膜和真空镀膜的方法,我们制备了电致发光器件,结构为ITO/PVK:Pc/BCP/Alq3/Al,器件在900nm附近有个发射峰,但具体与哪种材料有关,还有待进一步的研究。
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