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本课题从CMOS SRAM的单粒子效应机理出发，研究单粒子翻转和单粒子闩锁的检测方法，建立了一个功能较为完善、操作简单的单粒子效应检测平台。它驱动被测SRAM在重离子辐照环境下工作，监测SRAM的工作状态，甄别单粒子闩锁和单粒子翻转发生与否，并且能对实验数据进行初步处理分析，生成测试报告。2009年12月下旬至2010年3月上旬，该检测平台在兰州重离子加速器上对IDT71256 SRAM开展了3次单粒子效应辐照实验，获得了一批实验数据，达到了预期目标。SRAM单粒子效应检测方法的研究，为我所科研人员开展半导体器件单粒子效应机理研究提供了基本条件。