随着无线通讯技术的飞速发展和半导体微缩技术进入纳米尺寸,高性能的CMOS射频集成电路已成为发展无线通讯的重要目标。射频集成电路作为无线通讯系统的收发端,对射频通讯元件的性能提出了要求。可变电容是射频电路中的重要元件之一,常用于可调滤波器和LC压控振荡器(VCO)等射频模块电路。本文围绕CMOS工艺中的可变电容作了一系列的研究。首先,对可变电容的原理特性进行简单的阐述。其次,利用中芯国际(SMIC)先进的130nm和65nm工艺设计并制造了不同结构的可变电容;接下来基于实测数据进行了分析,比较不同结构可变电容的优缺点,并从工艺参数和结构参数两个角度总结了影响可变电容性能的因素。最后选用性能较好的可变电容(65nm工艺制造的N+掺杂栅积累型MOS可变电容)用SPECTRE进行建模。本文还提及了互补MOS(CMOS)的基本工艺和部分与可变电容有关的工艺以及射频器件的测试方法,同时也介绍了本文所提取参数的方法。