三元混晶AxB1-xC材料拥有许多二元晶体所不具备的独特结构和物理特性，可以通过改变混晶组分的浓度来实现人为控制材料的物理参数，比如真空和光学介电常数、相互作用耦合常数、光学声子频率和禁带能量等，这对其的研究开发和广泛应用具有重要的现实意义。三元混晶可广泛应用在超晶格、异质结、量子阱、量子点、量子线等层状结构和低维系统中，因此三元混晶AxB1-xC材料成为制造许多新型多功能精密光电子器件的重要材料。近年来，三元混晶中的激子、声子、极化子能级和电子-声子相互作用能量等问题成为凝聚态物理的重要研究领域之一，受到了国内外学者广泛和持续的关注。本文主要研究三元混晶AxB1-xC材料的相关参数和极化子能级等问题。　　基于zheng改进的混晶理论和极化子微扰理论模型，理论研究了三元混晶AxB1-xC量子阱材料的基本特性，给出了混晶的静介电常数、高频介电常数、电子-光学声子相互作用的耦合常数和极化子能量的函数表达形式。以InxGa1-xN、Se xS1-xZn、GaxAl1-xAs、SbxAs1-xGa、AlxGa1-xN和RbxK1-xCl六种典型三元混晶为例，数值计算了混晶的相关参数随组分含量的变化规律，并同线性内插法计算结果进行了对比分析。研究表明，在较弱电子-声子耦合情况下，两种数值计算方法得到的结果比较接近，可以用来计算哈密顿量、电子-声子相互作用的相关常数和极化子能级。结果表明，耦合常数α、高频介电常数ε∞和极化子能量E吻合效果较好;而静介电常数ε0存在较小偏差。计算结果同时显示，三元混晶AxB1-xC材料的相关参数和极化子能级随组分x增加变化趋势比较明显，如In xGa1-xN、Se xS1-xZn、GaxAl1-xAs、SbxAs1-xGa和RbxK1-xCl混晶中的ε∞、ε0随着组分x的增加而升高，而AlxGa1-xN混晶中的ε∞、ε0变化趋势恰好相反。