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中文摘要
本论文分别对物理电子学中的若干问题进行了数值模拟研究，对传统的高能离轴电子全息和新型的低能同轴电子全息高分辨率数值重现进行了计算机模拟研究，提出了Ehrlich-Schwoebel势垒修正的动态连续运动方程，模拟了不同参数(温度、入射离子能量)下的溅射结果；在大束流密度的情况下，由于溅射出的Si原予与入射粒子碰撞几率增大而重新沉积回溅射表面，本文在运动方程中又引入了抑制项，同样给出了在相同入射离子剂量下的实验和模拟结果。通过实验结果与计算模拟结果的比较，尽管在纳米点形状等细节方面还有些不同，对抑制项等参数还缺少第一性原理的计算，但模拟结果定性的说明了Si表面形貌的改变，非常好的符合实验中测量的各种关系曲线。