Sm-Co薄膜具有优异的磁学性质，在超高密度磁存储记录介质和微电机系统中有重要应用价值;磁性/非磁性/磁性自旋阀结构由于其巨磁电阻效应，在信息存储和处理及微波通信领域也具有重要的应用价值。针对以上两个方面，本论文采用电化学方法分别在Si/Ti/Cu和氧化铝(AnodicAluminum Oxide，AAO)模板中制备了Sm-Co薄膜及赝自旋阀结构阵列，主要研究内容如下:　　(1)利用循环伏安法研究了电解液在Pt电极上的电化学行为，从理论上分析了甘氨酸对电沉积Sm-Co合金膜的影响;研究了沉积电位、电解液温度、Sm3+/Co2+摩尔比对Sm-Co膜的成分及表面形貌的影响。发现，[CoⅡSmⅢ(Gly-)2(HGly±)]3+的形成有利于在相对低电势下Sm、Co的共沉积;合金膜中Sm含量随沉积电位的负移先增加，后减小，在-1.85V附近达到最大值;峰值电位与Sm3+与Co2+的共沉积电位一致，与电解液温度、Sm3+/Co2+摩尔比基本无关;合金膜的表面形貌与Sm含量有密切关系。　　(2)研究了退火处理对合金膜表面形貌、晶体结构及磁学性能的影响。退火前合金膜表面稀松，伴有针孔状结构，经过退火处理后，合金膜表面变得致密，表面形成明显的颗粒;合金膜由非晶态转变为多晶态结构，有Sm2Co17永磁相形成，合金膜的相成分与合金膜中Sm含量有重要关系;镀态合金膜的矫顽力较小，经过退火处理后，合金膜的矫顽力得到明显增加。　　(3)采用二次阳极氧化法制备了高度有序的多孔氧化铝模板，采用恒电位技术在AAO模板中制备了Co、Cu、NiFe纳米线，根据时间—电流曲线得到了纳米线的生长速率，从而可以有效控制纳米线的长度;基于双槽法制备了NiFe(10nm)-Cu(6nm)-Co(8nm)、Co(40nm)-Cu(10nm)-Co(10nm)三层膜结构阵列，并测量了其磁学性质。