缺陷和掺杂影响半导体材料的性质，同时对其应用起到了决定性作用。由于纤锌矿的ZnO是直接带隙半导体，其带隙的宽度为3.37eV，这在原则上使得ZnO在蓝紫光区域有重要的应用，因此引起了人们的广泛关注。但是，ZnO有严重的掺杂不对称性问题，这导致无法实现ZnO在蓝紫光区域内的应用。因此，获得优良的p型ZnO成为了人们兴趣的焦点。本论文采用共掺杂方法设计p型ZnO，即N与In和N与Mg的共掺杂。通过基于密度泛函理论的第一性原理方法对复合体（In-xN）（x=1-4）和（N-4Mg）形成焓、离化能、束缚能和电子性质的计算，发现：在10GPa下，In‐3N和In‐4N的形成焓比0GPa时降低了，这说明压力使得这两个复合体的溶解度升高了。在0GPa下，In‐xN的离化能比单掺NO的要低，且其值随着压力的增加稍有升高；在压力作用下，缺陷对In‐xN由排斥作用变成吸引作用，(In‐4N)3‐除外。在10GPa复合体（In-4N）具有较低的形成焓、较好的束缚能和稍高的离化能，这有助于产生比0GPa下更加稳定的p型导电的ZnO。通过对态密度的分析，复合体（N-4Mg）的价带顶附近主要取决于系统p轨道的能量。尽管复合体中N元素的含量较少，但是通过不同元素对p轨道贡献的态密度分析，发现N元素对价带顶的影响超过了O元素，这将有助于形成p型导电。复合体N‐4Mg的形成焓随着压力的增加而升高，这说明压力作用降低了它的溶解度。N‐4Mg的离化能在压力的作用下降低，这有利于形成p型ZnO。随着压力的升高，束缚能也由正值（排斥作用）变为负值（吸引作用），缺陷对的稳定性得到提高。