随着GaN基Ⅲ-Ⅴ族化合物技术的发展和蓝光LED的实现，人们已经可以获得实现白光发光的三基色发光二极管。目前商用白光LED的实现方案主要是通过蓝光LED芯片结合黄光YAG∶ Ce荧光粉来实现的。这种方法在一定程度上增加了工艺步骤，提高了成本，因此实现单芯片白光发光成为研究热点，而其中一种便是双波长白光LED结构。然而，双波长LED也面临一些问题，比如效率下降问题，并且由于双波长LED中的浅阱的载流子限制能力低，因此它的辐射复合速率远低于深阱的辐射复合速率，两个峰值波长的发光强度就会有很大差别，无法达到预期发光效果。　　而对目前商用白光LED来说，需要在高的驱动电流下也能实现高光效。这就意味着“效率下降”成为GaN基高亮度LED在未来应用中的一个受到广泛关注的问题。“效率下降”是指量子效率随着注入电流的增加而单调减少，研究人员对此现象有很多种解释，如有源区的电子泄漏，俄歇复合，极化效应，空穴注入效率等等。但是，目前没有解决此问题的有效方法。　　本文针对以上问题，对不同的LED结构进行了系统的理论研究，获得了如下研究结果:　　1.通过将最后两个GaN垒层改变为InGaN垒层，由于晶格更匹配，极化效应减小，电子有效势垒高度增加，漏电流降低。模拟结果还表明了当最后两个GaN垒层改变为InGaN垒层时，效率下降得到了明显改善，发光强度得到了增强。　　2.通过将量子阱的结构调整成凹形结构，由于极化场引起的能带弯曲减弱，因此电子有效势垒高度增加，电子被有效抑制，电子溢出明显降低。模拟结构还表明了当量子阱的结构调整成凹形结构时，效率衰减现象得到改善，光输出功率更高，辐射复合速率和内量子效率也得到明显改善。　　3.通过将传统结构中的AlGaN EBL去掉，而在n型GaN层和有源区之间插入超晶格结构，由于超晶格结构起到蓄积电子的作用，所以电子溢出明显改善，而在一定程度上阻挡空穴注入的AlGaN EBL的去掉，提高了空穴注入效率，通过新结构的使用，效率衰减现象得到改善，光输出功率更高，漏电流降低，辐射复合速率和内量子效率也得到明显改善。