反式二苯乙烯(C14H12，又名反式茋，简称TSB)晶体是一种有机闪烁材料，具有衰减快、光输出高和分辨性能较好等优点，能直接用于强γ辐射下的快中子检测，有望成为核探测技术领域中的重要探测材料。因此，研究高质量、大尺寸TSB晶体生长原理与技术具有很强的必要性。本文以溶液降温法为基本手段，系统研究该晶体生长体系与生长过程，并对所得晶体的相关性质及闪烁性能进行测试分析。　　首先进行了晶体生长及相关实验。观测了TSB在苯甲醚等有机溶剂中的结晶习性，测定了相应的溶解度曲线和亚稳区。采用溶液自然冷却法获得了b轴向棒状籽晶，继而采用溶液缓慢降温法在50～30℃的温度范围内分别以苯甲醚和甲苯为溶剂进行晶体生长，获得了透明度较好的厘米级TSB晶体。在晶体生长实验中，考察了不同尺寸、形状的籽晶在苯甲醚中恢复、生长的情况，结果表明，籽晶尺寸越小、外形越接近晶体典型形貌，在晶体生长中其越容易恢复;晶体沿结晶b轴向生长较快，而a、c轴向生长较慢。另外，采用液相色谱以及ICP-MS对重结晶提纯前后的原料纯度进行了测试与分析，两者的晶体生长对比实验显示，未提纯原料的生长溶液短期内就由无色变为黄色，并随生长时间的延长而加深，溶液稳定性也较差，因此生长前原料的提纯不可或缺。　　随后，对已经生长出来的TSB晶体进行完整性分析。观察了生长过程中出现的母液包藏、寄生生长以及开裂等宏观缺陷，并分析了其成因，还采用腐蚀法对该晶体的微观位错缺陷进行观测，表明(100)面存在三角蚀坑，(102)面存在不规则蚀坑以及(010)面母液包藏周围存在环形位错缺陷。　　通过对不同溶剂生长的晶体进行XRD和红外光谱测试，不但证实了所生长的TSB晶体，而且表明不同溶剂对晶体结构性质未产生显著影响。采用TG/DSC、显微硬度和摇摆曲线对TSB晶体热稳定性、机械加工性能和原料纯度对晶体完整性的影响进行分析，表明其常温下热稳定性良好，其机械加工性能较差，但随着原料纯度提高，晶体完整有所提高。　　通过对TSB晶体进行紫外一可见透过光谱和紫外荧光光谱测试，表明在波长为200～360nm范围内，TSB晶体有较强吸收，且在410～1000nm波长范围内透过率达到80％;在波长为272.8nm的激发光作用下，得到较强的荧光峰，发射波长为386nm。采用137Cs激发测试该晶体的相对光输出，为塑料闪烁体ST401的光输出的94％，光输出相对较低。TSB晶体具有较短的衰减时间，快成分、慢成分衰减时间分别为4.16ns、22.91ns。采用252Cf激发测试TSB晶体的脉冲形状甄别性能(PSD)性能，PSD FOM值达2.26，表明其对n-γ具有较好的甄别性能。另外，原料提纯对所生长晶体的PSD性能改善较明显，但透过率、荧光峰位、光输出影响不大　　总之，采用溶液降温法有望生长出高质量、大尺寸和性能优异的TSB晶体，但生长工艺应待进一步优化。