碳化硅(SiC)是一种宽带隙半导体材料，具有热导率高、电子迁移率高、击穿电压高等优良特性，是制造高温、高频、大功率器件及光电集成器件的优选材料，成为国际上微电子和光电子领域的研究热点。人们对单晶碳化硅薄膜已做了深入的研究，而非晶态碳化硅薄膜的研究则相对较少，尤其是采用磁控溅射法制备非晶碳化硅薄膜。 本文应用射频磁控溅射仪，以石墨和硅为靶材，制备了碳化硅薄膜，在氩气氛下进行退火处理使薄膜晶化。利用X 射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)对样品进行了物相组成、形貌和结构分析，研究了C 溅射功率PC 与Si 溅射功率PSi 之比（Pc/PSi）、衬底温度、工作压强和退火温度等工艺参数对SiC 薄膜特性的影响。结果表明，Pc/PSi 对SiC 薄膜特性有明显影响，当衬底温度在25～500℃条件下，在1.5～3 溅射功率比范围内，不同功率比条件下制备的样品经退火可得到不同晶型的SiC 薄膜。改变溅射功率比可使样品中各种晶型的SiC 含量发生变化，且随着Pc/PSi 功率比增大，制备的薄膜中晶态SiC的百分含量先增多后减少。制备的薄膜特性对衬底温度敏感，在25～500℃范围内，升高衬底温度可以降低薄膜中的缺陷密度，使薄膜的表面光洁度较高，且更均匀致密。工作压强也是影响薄膜特性的重要因素，在1.5～3 Pa 范围内，增大工作压强有利于SiC 薄膜退火之后结晶，得到单一晶型的SiC 薄膜，同时使薄膜表面粗糙度减小。制备的SiC 薄膜特性还强烈依赖于退火温度，在850～1150℃温度范围内对SiC 薄膜退火，结果表明升高退火温度可以明显提高薄膜的结晶质量和晶化程度，提高薄膜的致密度，改善薄膜结构，降低薄膜中的缺陷密度。