随着信息时代的到来，人们对短波长发光器件的需求日益增长，因此人们对宽禁带直接带隙半导体的研究产生了极大的兴趣。氧化锌(ZnO)是一种宽禁带直接带隙(室温下3.37eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，室温下激子束缚能60meV，理论上可实现室温下的紫外受激辐射，在紫外发射器件、紫外激光器件等领域具有广阔的应用前景。ZnO薄膜的制作方法很多，溅射法、真空蒸镀、分子束外延、脉冲激光沉积、化学气相沉积、原子层外延、喷雾热分解、溶胶凝胶、锌膜氧化法等。脉冲激光沉积是近年来发展起来的先进的薄膜生长技术，与其他方法相比，脉冲激光沉积法对获得高质量的氧化物薄膜更加有效，因为它具有简单的结构且操作方便，可以通过调节激光能量、激光频率等来控制薄膜的原子层厚度。脉冲激光沉积ZnO薄膜是在高真空背景下用高能激光烧蚀ZnO靶材生成蒸发物沉积在加热衬底上生长晶体薄膜。本文用脉冲激光沉积方法以ZnO陶瓷为靶材，在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜，讨论了氧分压、衬底温度、脉冲能量、退火等条件对ZnO薄膜特性的影响；用X射线衍射(XRD)对薄膜的结晶质量进行了分析；用扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的表面形貌进行了表征；荧光光致发光谱(PL)对薄膜的发光特性进行了研究，用椭偏膜厚仪对薄膜的膜厚进行了测量。通过对ZnO薄膜的结构和发光特性的研究，分析了生长参数对薄膜特性的影响，找到了生长薄膜的优化条件，得到了高度c轴(002)取向的结晶质量较高的ZnO薄膜。