铁电材料因其独特的铁电性、热释电性、压电性、电光效应等重要特性而成为一类重要的功能材料,被广泛应用于铁电存储器、红外探测器、压控滤波器等电子元器件中。伴随着微电子集成技术的发展,铁电材料在纳米厚度上铁电性的研究越来越受人们的关注。近年来,相关的薄膜研究主要基于无机铁电薄膜开展,而对分子铁电薄膜的研究则较少。就分子铁电体而言,其中某些具有层状结构的化合物可以通过剥离制备出超薄薄层,并具有一定的半导体特性,如Bis（benzylammonium）lead tetrachloride（BA2PbCl4）。铁电性和半导体特性的结合使得这类材料在电子、信息领域中有很大的应用前景,但至今为止,研究者们仍在寻找合适的方法来制备大面积、高质量的薄层并控制其厚度。本论文主要针对大面积、高质量层状铁电薄层的制备开展研究,并探索纳米级厚度的铁电薄层的铁电性。在本论文的实验中,首先合成了BA2PbCl4等多种具有层状结构的分子铁电体,并用X射线粉末衍射仪和红外光谱等手段对这些晶体的质量进行了表征。随后,利用改进剥离法制备了厚度约为100 nm厚的分子铁电薄层。为控制薄层样品的厚度,探索了一种精细可控的厚度微调方法,在这种方法中,我们采用非平行板式温和等离子体技术对这些薄层样品进行了刻蚀,并研究了射频功率、先驱气体和刻蚀时间的影响,实现了单元层厚的分子铁电薄层的制备,并通过压电力显微镜研究了该薄层的铁电性。单元层厚的高质量、大面积分子铁电薄层的制备,为今后分子铁电薄层相关的基础研究提供了便利,并为未来分子铁电柔性器件的应用开展了初步探索。