【摘 要】
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本论文研究了两种微分析芯片的制作技术。首先,在第一部分中,基于一种新的湿法腐蚀条件和凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对n型单晶(100) Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面
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本论文研究了两种微分析芯片的制作技术。首先,在第一部分中,基于一种新的湿法腐蚀条件和凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对n型单晶(100) Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模,并成功地制作了聚甲基乙烯基硅氧烷(polymethylvinylsilanxoin,PMVS)微分析芯片。其次,论文的第二部分采用湿法刻蚀的方法制作了以photomask玻璃为基体材料的微分析芯片,并研究了湿法刻蚀中的侧蚀和掩模穿孔问题。
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