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【摘 要】
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极化电流驱动磁化翻转(CIMS)的磁随机存储(MRAM)自旋电子器件日益受到重视,降低驱动磁化翻转所需的临界电流(Ic0)是其核心关键之一。理论和实验已经证实高的自旋极化率和垂直磁各向异性(PMA)均有助于降低Ic0。因此实现高自旋极化率材料薄膜的PMA成为了研究热点及难点。本论文以高自旋极化率的Co基Heusler合金Co2FeAl0.5Si0.5(CFAS)和Co2MnSi(CMS)作为铁磁层
【机 构】
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西安理工大学
【发表日期】
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2016年06期
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