【摘 要】
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随着半导体集成电路制造业在中国的迅猛发展,为了降低研发成本和提高集成电路的成品率,各大公司越来越需要有专业的模拟工具对半导体器件结构和阵列进行准确的性能评估,并在
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随着半导体集成电路制造业在中国的迅猛发展,为了降低研发成本和提高集成电路的成品率,各大公司越来越需要有专业的模拟工具对半导体器件结构和阵列进行准确的性能评估,并在性能评估的基础上再对器件结构进行相关的参数优化和整体折中,目前半导体工艺与器件模拟即TCAD工具已经在半导体电路制造业中发挥着越来越重要的作用。本文专注于半导体器件中的存储器件,而目前流行的存储器件都是在金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)的基础上改造而成的。闪存(Flash Memory)是非挥发性存储器(Non-Volatile Memory)的典型代表,本文将以闪存为基础来介绍非挥发性存储器的概念、应用和实现非挥发行的物理机制,讨论存储器中各种重要的微观物理现象和导致存储性能退化的可能因素。本文解释了三种非挥发功能的实现方式：浮栅存储器(Floating Gate),硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存储器和纳米晶存储器(Nano-Crystal Memory),并比较了三种结构的优点和缺点。最后本文比较详细的介绍了Sentaurus模拟工具中常用的重要物理模型和基本的使用方法,展示了如何使用TCAD工具实现对三种目前常被提到的非挥发存储器的相对准确的性能模拟。
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