【摘 要】
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该文采用MBE生长技术制备了高质量的InAs/InP量子点材料,并对其结构、光学性质等进行了深入系统的分析,取得以下主要成果.(1)在InP(001)衬底上设计了生长InAs纳米结构材料.(2
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该文采用MBE生长技术制备了高质量的InAs/InP量子点材料,并对其结构、光学性质等进行了深入系统的分析,取得以下主要成果.(1)在InP(001)衬底上设计了生长InAs纳米结构材料.(2)在(001)InP衬底上首次引入晶格匹配的InGaAlAs缓冲层,得到了均匀性较好的InAs量子点,更重要的是在(001)InP衬底上得到室温1.55μm的InAs量子点发光;在(311)B、(411)BInP衬底上引入InGaAlAs缓冲层后,首次观察到了InAs量子点的二维有序列排列,PL光谱的半高宽是目标国际上报道的最好结果之一.(3)首次在(111)BInP衬底进行自组织生长InAs量子眯的研究,并发现InAs量子点存在大小截然不同的双模分布.(4)对(511)BInP基衬底上有盖帽层的量子点(体内量子点)与裸露的表面量子点(表面量子点)进行了对比研究.(5)在(001)InP基衬底上自组织生长了多层InAs量子点(线)超晶格.对于间隔InGaAs,InAs量子点表现为传统的徒工直藕合,同时量子点逐层增大,我们从量子点应力分布不均这一角度进行了分析.
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