氧化铪基薄膜是一种新型的、与CMOS工艺完全兼容的铁电薄膜材料,具有无污染、易于微型化、禁带宽度大等优势,被视作是制备大存储容量铁电存储器的理想材料。但HfO2基铁电存储器在饱和电场下易发生硬击穿失效,导致其耐久性差,因而成为限制其商业化应用的主要技术瓶颈。目前大部分研究均采用的是单一元素掺杂来稳定HfO2薄膜中的正交铁电相,但掺杂后该材料仍含有较高含量的单斜相,这极有可能是引起其硬击穿失效的关键原因。而通过掺杂第二种或多种元素进一步促进单斜相向正交相的转变,就会同时改善HfO2基薄膜的铁电性和耐久性。因此,本论文以Zr掺杂的HfO2(Hf0.5Zr0.5O2,HZO)铁电薄膜为研究对象,选择锶（Sr）、镧（La）两种元素作为第二种掺杂元素,通过复合掺杂对薄膜进行结构及性能调控,以期望降低HfO2基薄膜的矫顽电场和漏电流,得到铁电性和耐久性良好的HfO2基铁电薄膜。本论文的工作主要包括以下两个方面:（1）采用化学溶液沉积法（CSD）法制备了Sr:Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜,研究了退火温度、薄膜厚度以及Sr掺杂含量对薄膜物相组成、微观结构以及电学性能的影响。结果表明,当退火温度为500oC,薄膜厚度为26 nm和Sr掺杂含量为0.50%时,薄膜的铁电性能相对最好:薄膜剩余极化强度Pr约为15μC/cm~2,矫顽电场Ec为1.1 MV/cm,漏电流密度为8.6×10-4A/cm~2,疲劳性能较好（10~9次翻转后,Pr衰减在1%以内）。这是因为通过掺入适量Sr,薄膜中单斜相生成得能到抑制,四方相含量逐渐稳定,促使正交相的形成,增强了铁电性;同时薄膜结晶度提高,晶粒尺寸增加,晶界减少,漏电流通道变短,降低了漏电流密度。（2）采用CSD法制备了La:Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜,研究了退火温度以及La掺杂含量对薄膜物相组成、微观结构以及电学性能的影响。结果表明,当退火温度为600oC和La掺杂含量为1.50%时,薄膜的铁电性能相对最好:Pr约为17.9μC/cm~2,Ec为0.83MV/cm,漏电流密度较小,在10-3A/cm~2数量级,10~9疲劳翻转后,剩余极化程度衰减很小,仅在4%以内。这是因为掺入一定量的La,能促使单斜相和四方相发生相转变,形成更多正交相,有利于改善铁电性能;同时掺杂会提高薄膜结晶度,使晶粒增大,有利于降低漏电流密度。