【摘 要】
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本文对BFO-SBT固溶体铁电薄膜的制备和性能及其在MFIS结构中的应用进行了研究。文章采用MOD方法制备BFO薄膜，并针对制备过程中的具体问题进行了分析优化；研究了xBFO-(1-x)SBT(x
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本文对BFO-SBT固溶体铁电薄膜的制备和性能及其在MFIS结构中的应用进行了研究。文章采用MOD方法制备BFO薄膜，并针对制备过程中的具体问题进行了分析优化；研究了xBFO-(1-x)SBT(x=0、0.2、0.4)系列固溶体薄膜，并通过一系列的测量方法如X射线，扫描电子显微镜(SEM)、RT66A、Keithley4200电学性能测试仪等来表征薄膜的结构和电学性质；利用0.2BFO-0.8SBT薄膜制备了MFIS结构，利用Keithley4200电学测试仪测试了该结构的C～V特性，并采用陈的模型将0.2BFO-0.gSBT固溶体薄膜应用到MFIS非饱和模型中，从理论上模拟MFIS结构中的C～V特性，从而将实验结果在理论上得到了验证。
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