电阻抗成像（EIT）技术是一种功能成像技术，具有重要的研究意义和应用前景。它通过配置于成像物体表面的电极阵列，外加一个安全电流，然后测量由此电流产生的边界上的电位差，进而重构并显示出与成像物体生理、病理状态相关的电特性信息，可望给出结构及功能性图像结果。近年来国内外对EIT的研究极为活跃，已经取得了明显的进展。 本论文对电阻抗成像正问题的数值计算方法进行研究，具体应用边界元法(BEM)和有限元法（FEM）。 本文首先对EIT的成像原理以及研究概况进行了综述，对EIT 正问题的数值计算方法进行了分析。重点研究了边界元法。在对边界元法理论研究的基础上，推导了EIT 正问题边界元法的边界积分方程和离散积分形式，得出边界积分方程的线性方程组。针对三维均匀单位球模型和三维均匀圆柱模型进行了仿真实验，并将三维均匀单位球模型的BEM数值解与解析解进行了对比。结果表明，本文的边界元法达到了理想的精度，证明了算法在EIT 正问题求解中的正确性和有效性。进一步，推导了分层均匀多媒质场的BEM公式，针对动脉血管，建立了三维圆柱边界元模型，并进行了仿真计算，得到了与理论分析相一致的结果。最后，研究了EIT 正问题求解的有限元法。推导了EIT 正问题的FEM 求解公式，对等价变分问题、离散化过程、单元分析、总体装配进行了研究，得到整体系统方程。对于三维血管圆柱模型，采用四面体单元对场域进行剖分，得到了理想的结果。