在过去的几十年里，氮化镓（GaN）材料引起了人们的极大兴趣。由于具有直接宽禁带隙（～3.4eV）、很高的击穿电场（>2x106V/cm）和高饱和速率（2.2x107cm/s），GaN以及相关化合物材料在光电器件（例如蓝光、白光、超亮度发光二极管）、高温、大功率、高频电子器件（例如高电子迁移率晶体管）中有着广阔的应用前景。制作高质量、低电阻率欧姆接触是GaN基器件的关键技术之一。而目前对n-GaN欧姆接触的研究主要集中在不同的退火温度、不同的金属序列的研究，对高温和电流应力条件下欧姆接触的研究甚少。　　 本论文在本实验室提出的一种专利结构的基础上，研究温度和电流应力条件下n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的失效机理。总体来看，本论文的研究工作主要集中在以下几个方面：　　 1.基于传统的传输线方法（TLM），制备了用于研究温度和电流应力条件下n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触失效原因的样品并封装、测试。　　 2.完成了温度应力条件下测试系统的搭建，研究了掺杂浓度为3.0x1018cm-3n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触电阻率的温度退化特性、高温存储特性。　　 3.用Ansys模拟分析软件对结构建模，优化分析了不同GaN层厚度对TLM方法的符合程度；模拟分析了三种电流应力（15mA，30mA，50mA）条件对n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触电阻率的冲击影响。　　 4.实验研究了三种电流应力条件下（15mA，30mA，50mA）n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触电阻率的退化情况，并用EDS、AES对电流应力前后、不同的电流应力条件的样品进行微组分分析，得出欧姆接触的失效机理。