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【摘 要】
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最近,稀磁半导体(DMS)兼具电子的电荷和自旋两种属性,可同时实现信息的传输、处理和存储,受到研究者的广泛关注。有着立方方铁锰矿结构的In_2O_3具有宽带隙(3.75 eV)、优良的电学性能、高的可见光透明性以及好的气敏性,已经成为自旋电子学材料的重要候选之一。尽管许多研究者已经报道了In_2O_3基DMS材料具有室温铁磁性,但该体系的铁磁性起源仍存在很大争议。本论文通过基于密度泛函理论的第一性
【机 构】
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天津理工大学
【发表日期】
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2018年01期
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