为了应对能源危机和环境恶化,人们进行了许多的探索。研究发现,利用半导体光催化剂可以将光能转化为化学能,从而实现能量转换或有机污染物的降解。非金属半导体材料石墨相氮化碳（g-C₃N₄）具有可见光响应（Eg=2.7 eV）、稳定性好、无毒无害等优点,因而倍受研究者们的青睐。然而,传统热解法制备的纯g-C₃N₄,往往片层聚集,比表面积较小,可见光吸收范围较窄,光照产生的电子-空穴对也极易发生复合,使得对太阳光的利用率降低。如何提高g-C₃N₄材料的光催化活性,已成为现阶段的研究重点。为了提高g-C₃N₄材料的光催化性能,本文主要通过四个方面对其改性:提高其比表面积,与溴氧铋（BiOBr）构建异质结,Ni和Fe金属离子掺杂,纳米Ag修饰。具体工作如下:（1）通过热解三聚氰胺和纳米SiO₂的混合物,制备了高比表面积的SiO₂与g-C₃N₄的复合材料（SiO₂/C₃N₄）。采用XRD、SEM表征了材料的形貌与结构,XPS分析了C、N元素的化学状态。DRS、PL进一步分析了SiO₂/C₃N₄的半导体性质。结果表明,通过改变SiO₂的加入量可以调节g-C₃N₄的比表面积、C/N原子比及其带隙宽度。其中,SiO₂与三聚氰胺质量比为4:5（记为Si O₂/g-C₃N₄-4:5）时,拥有最佳的光催化活性。（2）以SiO₂/C₃N₄-4:5、硝酸铋（Bi（NO₃）·5H₂O）和十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为原料,制备了SiO₂/C₃N₄/BiOBr复合材料。采用XRD、SEM、BET、DRS、PL表征了材料的形貌、结构及其半导体性质,并以罗丹明B溶液作为目标污染物进行光催化实验。结果表明:BiOBr与SiO₂/C₃N₄复合形成了g-C₃N₄/BiOBr异质结构,有效提高了光生电子与空穴的分离效率,从而增强了材料的光催化性能。（3）以三聚氰胺、硝酸铁（Fe（NO₃）₃·9H₂O）和硝酸镍（Ni（NO₃）₃·6H₂O）为原料,制备了一系列不同掺杂比例的Ni/Fe共掺杂的g-C₃N₄（x%Ni/Fe-C₃N₄）光催化剂。采用通过XRD、SEM表征了材料的形貌与结构,XPS分析了C、N元素的化学状态。DRS、PL进一步分析了Ni/Fe-C₃N₄的半导体性质。结果表明,Ni/Fe的掺杂提高了g-C₃N₄的比表面积,降低了g-C₃N₄的带隙宽度,有效抑制了光生电子-空穴对的复合率。其中,Fe（NO₃）₃·9H₂O和Ni（NO₃）₃·6H₂O的总质量和与三聚氰胺质量比为10%（即10%Ni/Fe-C₃N₄）时,拥有最佳的光催化活性。（4）通过光照还原法在10%Ni/Fe-C₃N₄表面原位沉积Ag,制得Ni/Fe-C₃N₄/Ag复合材料,采用XRD、SEM、BET、DRS和PL等手段对材料进行了表征。结果表明,掺杂Ni/Fe和沉积的纳米Ag协同作用,增强了Ni/Fe-C₃N₄/Ag的光吸收能力,促进了光生电子和空穴的有效分离,有效提高了材料的光催化性能。