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垂直腔面发射半导体激光器VCSEL具有发散射角小,单纵模工作,低阈值等特性.尤其适用于二维面阵集成以及与其他光电子器件进行空间光互联集成.在光计算和信息处理等方面都有着广泛的应用前景.目前对于VCSEL的设计和工艺进一步研究以及在量子水平上开展 的VCSEL微腔的研究,都是具有实际应用意义和前瞻性的研究课题.该论文围绕GaAs VCSEL 开展了两部分的研究.第一部分集中于VCSEL及其列阵的器件原理、制备方面的研究,深入 开展了VCSEL腔场的数值模拟,优化器件设计.第二部分着重于VCSEL微腔特性方面的研究.