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低温共烧陶瓷(LowTemperatureCo-firedCeramic，LTCC)材料具有优良的介电性能、低热膨胀性能、可设计性能，满足高密度封装的需求，近年来得到了广泛的关注，已经应用于通讯、航空领域，成为无源集成的主流技术。 本文以硼硅玻璃/α-Al2O3为研究对象，研究配方组成、烧成工艺对试样介电性能、收缩性能、微观结构的影响;采用流延成型工艺制备硼硅玻璃/α-Al2O3生瓷带，探讨分散剂、增塑剂、粘结剂含量对生瓷带性能的影响，并对生瓷带与金属银的匹配性能进行评估。从实际生产中出现的问题出发，探讨粘结剂对LTCC生瓷带力学性能影响。 添加碱金属氧化物可以降低硼硅玻璃玻璃/α-Al2O3的烧结温度，随着碱金属添加量的增加，硼硅玻璃/α-Al2O3的烧成试样体积密度、收缩率、抗弯强度先上升后下降。碱金属添加量增加，硼硅玻璃/α-Al2O3试样的致密化温度降低，烧成温度过高会引起试样内部闭气孔发生膨胀，导致玻璃结构松弛。实验表明:优化碱金属添加量为2.4mol％且Na2O与K2O摩尔比为1∶1时，介电损耗值较小，为3.5×10-3。 硼硅玻璃与α-Al2O3按照质量比52∶48复合，在800-900℃之间烧成。玻璃/α-Al2O3试样在820℃未能烧结致密;当烧成温度升高至850℃，试样的体积密度、收缩率、介电常数均达到最大值，并且硼硅玻璃与α-Al2O3反应生成钙长石晶体;880℃烧成的试样，介电损耗降低;温度升至900℃，烧成试样内部气体膨胀产生大气孔，介电损耗增大。880℃烧成试样体积密度为3.08g/cm3，在10kHz下介电损耗为2.0×10-3，介电常数为7.7。使用α-SiO2代替α-Al2O3与硼硅玻璃复合后烧成试样的介电常数降低至4.75，收缩率低于10％，介电损耗为2.4×10-3，可以满足基板材料的应用要求。 采用流延成型制备硼硅玻璃/α-Al2O3生瓷带，对不同溶剂体系与不同分散剂含量的悬浮液进行流变性能测试，通过改变硼硅玻璃/α-Al2O3粉体的体积固含量和增塑剂与粘结剂的质量比来优化流延浆料组成，并研究了流延配方对制备生瓷带的体积密度、孔隙率以及烧成后致密度、微观结构与物相的影响。结果得出:甲乙酮-异丙醇混合溶剂对硼硅玻璃/α-Al2O3粉体润湿性能较好，相同体积固含量的剪切粘度最小。最佳分散剂用量为粉体质量的1.5％。流延体系的最佳玻璃/α-Al2O3粉体体积百分含量为71％，增塑剂与粘结剂质量比为0.65，所得生瓷带的体积密度为1.92g/cm3，孔隙率为25.12％。850℃烧成后试样断面光滑，气孔较少，体积密度为3.07g/cm3。在25-500℃范围内的热膨胀系数为7.30×10-6/℃，满足LTCC材料应用要求。 流延成型制备的生瓷带与银浆匹配性能良好，金属银与陶瓷界面处未见明显的裂痕、脱落、陶瓷相与银互相渗透的现象，银浆与生瓷带多层共烧时，层数较少时未见有明显缺陷，层数较多时(大于10)，试样内部应力释放，会产生明显裂痕。 为了解决生瓷带在等静压叠合过程中出现的连接孔变形问题，采用不同的PVB配制不同固含量的流延浆料并流延制备出生瓷带，测试硼硅玻璃/α-Al2O3生瓷带的拉伸强度、杨氏模量与断裂伸长率。随着固含量的增加，相同PVB制备的生瓷带拉伸强度、杨氏模量、断裂伸长率均减小;固含量相同、PVB羟基含量相同的条件下，高分子量PVB生瓷带的拉伸强度、杨氏模量、断裂伸长率较大;使用羟基含量高的PVB，生瓷带拉伸强度与杨氏模量显著提高，而PVB羟基含量对断裂伸长率无明显影响。 对不同PVB制备的硼硅玻璃/α-Al2O3生瓷带的体积密度进行测试，随着固含量的增加，体积密度减小，气孔率增大。固含量相同时，高分子量的PVB制备生瓷带的体积密度相对较小，而羟基含量对生瓷带的体积密度影响很小。使用羟基含量较高的PVB制备的生瓷带在等静压过程中连接孔的变形小，而PVB的分子量对连接孔的变形大小无明显影响。