绝缘栅双极晶体管(IGBT)是现如今主流的功率半导体器件之一,具有高耐压,大电流,低损耗等优点,在电力电子领域内有广泛应用。目前,国内的IGBT生产技术尚不成熟,IGBT产品主要依赖于进口。因此,对IGBT器件的研制有极大的现实意义。　　 本文旨在设计出第四代IGBT器件,NPT-IGBT,并结合实际工艺能力和性能需求进行优化,使其能够替代国外的NPT-IGBT器件。首先,论文比较分析了IGBT的现有结构,并给出了器件导通压降,击穿电压和开关时间的分析模型。然后,依据理论分析,采用工艺模拟软件TSUPREM4和电学特性仿真软件MEDICI对NPT-IGBT的栅结构、终端结构、JFET调整注入、背面离子注入等器件结构和工艺参数进行了仿真,重点分析了其结构和参数的调整对器件输出特性、击穿电压和关断时间等指标的影响,确定了最佳参数范围,为具体的器件设计提供实验依据。　　 最后,在前面的仿真基础上实现1200V／15A NPT-IGBT器件的设计。包括确定器件的最终结构,工艺流程和P阱结深,N+掺杂浓度,芯片厚度等具体的工艺参数,并运用Candence软件设计出器件版图。流片测试的结果表明:器件的击穿电压大于1200V,阈值电压为3V,饱和通态压降小于3.2V,关断时间小于260ns,与计算机仿真的结果相吻合,并且完全符合该类型器件的设计指标。1200V／15A NPT-IGBT器件已在电磁炉电路上试用,达到了预期目标。