【摘 要】
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利用溶胶-凝胶工艺制备出了表面平整、光亮的SnO薄膜和InO薄膜,对工艺过程进行了详细的研究,比较了溶胶时PH值、PEG量、预烧温度、烧结温度等对SnO晶体粉体径和比表面的影响;
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利用溶胶-凝胶工艺制备出了表面平整、光亮的SnO<,2>薄膜和In<,2>O<,3>薄膜,对工艺过程进行了详细的研究,比较了溶胶时PH值、PEG量、预烧温度、烧结温度等对SnO<,2>晶体粉体径和比表面的影响;在此基础上对SnO<,2>薄膜和In<,2>O<,3>薄膜进行了降低电阻的研究,分析了不同的实验条件对薄膜电阻的影响,探索出了制备低阻SnO<,2>薄膜和In<,2>O<,3>薄膜的电阻降到10<3>数量级.采用XRD、XPS等方法分析了薄膜的晶体结构,测量薄膜中杂质的含量,并证实了薄膜中存在氧空位,这是导致薄膜电阻降低的原因之一.然后用此薄膜材料制作了气敏元件,并进行了气敏性测试,发现它们都有一定的气敏性和选择性,同时有较好的响应-恢复特性.
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